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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C2268XV18-600BZXC MSL CY7C2268XV18-600BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:600 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR MSL MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC)
MSL MT61M512M32KPA-14 N:C MSL MT61M512M32KPA-14 N:C Storage - IC DRAM 16GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IDT71P72604S200BQG MSL IDT71P72604S200BQG Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.88 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT25SF161-SSHD-B MSL AT25SF161-SSHD-B Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY14ME064Q1B-SXI MSL CY14ME064Q1B-SXI Storage 8-SOIC 管件 IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q32FVSFJQ TR MSL W25Q32FVSFJQ TR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AS4C128M16D2-25BCNTR MSL AS4C128M16D2-25BCNTR Storage 84-FBGA(10.5x13.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL CY62256L-70SNXI MSL CY62256L-70SNXI Storage 28-SOIC 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W631GU8NB-11 TR MSL W631GU8NB-11 TR Storage 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)

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