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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT62F2G32D4DS-023 AAT:B TR |
Storage |
315-TFBGA(12.4x15) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64GBIT PAR 315TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL MT44K32M18RB-107:A |
Storage |
168-BGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL S29GL064S90FHI033 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62128BNLL-70SXAT |
Storage |
32-SOIC |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70T633S10BFI8 |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL THGBMHG9C8LBAWG |
Storage |
153-WFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 512GBIT EMMC 153WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL JS28F320J3F79B TR |
Storage |
56-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:79ns|訪問時間:79 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C256M16D3A-12BIN |
Storage |
96-FBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL GS82582D37GE-450I |
Storage |
165-FPBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步,QDR II+|存儲容量:288Mb|記憶體組織:8M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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MSL CY7C2565KV18-500BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:500 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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