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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS6C6264-55PIN |
Storage |
28-PDIP |
管件 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F2G08ABAEAWP-IT:E |
Storage |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DQ321-SHFHJ-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:512 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL S29GL128S10DHV010 |
Storage |
64-FBGA(9x9) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS45S16800F-6CTLA1-TR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C16M16MSA-6BIN |
Storage |
54-FBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL256S10DHB023 |
Storage |
64-FBGA(9x9) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL W29N04KWSIBF |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 4GBIT ONFI 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns,700µs|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S26HS512TGABHM013 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:5.45 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CY62128ELL-45ZXAT |
Storage |
32-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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