Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AS7C325632-10BINTR MSL AS7C325632-10BINTR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1568KV18-450BZC MSL CY7C1568KV18-450BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT60B3G8RW-64B:B TR MSL MT60B3G8RW-64B:B TR Storage 78-VFBGA(8x11) 卷帶(TR) IC DRAM 24GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR5|存儲容量:24Gb|記憶體組織:3G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:0°C ~ 95°C
MSL 24LC21T/SN MSL 24LC21T/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MX25L25645GXDR-08G MSL MX25L25645GXDR-08G Storage 24-CSPBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QU 24CSPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT47H16M16BG-3E:B MSL MT47H16M16BG-3E:B Storage 84-FBGA(8x14) IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 MSL MB85RS2MTYPN-GS-AWEWE1 Storage 8-DFN(5x6) 卷帶(TR) IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CAT93C46VI-TE13 MSL CAT93C46VI-TE13 Storage 8-SOIC 散裝 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16,128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14B101J2-SXIT MSL CY14B101J2-SXIT Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC NVSRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1386KV33-167AXC MSL CY7C1386KV33-167AXC Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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