| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL AS4C32M16D3L-12BIN |
Storage |
96-FBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
|
 |
MSL IS25WP01GG-RHLE-TR |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
1GB QPI/QSPI, 24-BALL LFBGA 6X8M |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70µs,2ms|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|
 |
MSL AS8C803625-QC79N |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8.5ns|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL CY62167G18-55ZXIT |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL NV25040MUW3VTBG |
Storage |
8-UDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL IS46LQ32256AL-062BLA2 |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
散裝 |
IC DRAM 8GBIT LVSTL 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
|
 |
MSL 71V416L10PHGI8 |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS46QR81024A-083TBLA1-TR |
Storage |
78-TWBGA(10x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 8GBIT PAR 78TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
|
 |
MSL S29GL032N90TAI010 |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
FLASH - NOR MEMORY IC 32MB (4M X |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL M24C08-DRMN8TP/K |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
|