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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL EM6A9160TSC-4IG MSL EM6A9160TSC-4IG Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62146GE30-45BVXIT MSL CY62146GE30-45BVXIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FS256SAGNFI000 MSL S25FS256SAGNFI000 Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1220Y-100IND+ MSL DS1220Y-100IND+ Storage 24-EDIP 管件 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49LV002T-12VC MSL AT49LV002T-12VC Storage 32-VSOP 託盤 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32VSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL CYDMX256A16-65BVXI MSL CYDMX256A16-65BVXI Storage 100-VFBGA(6x6) 託盤 IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,MoBL|存儲容量:256Kb|記憶體組織:16K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:65ns|訪問時間:65 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL064N11TAIV20 MSL S29GL064N11TAIV20 Storage 56-TSOP 託盤 FLASH - NOR MEMORY IC 64MB (8M X 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:110ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25D40CTIGR MSL GD25D40CTIGR Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI/DUAL 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,4ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V256SA15PZGI MSL 71V256SA15PZGI Storage 28-TSOP 託盤 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14B104NA-BA45XET MSL CY14B104NA-BA45XET Storage 48-FBGA(6x10) 卷帶(TR) IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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