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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT49BV162A-70CI |
Storage |
48-CBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48CBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT93C56-10SI-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 2KBIT 3-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT62F1536M64D8EK-023 AAT:C |
Storage |
441-TFBGA(14x14) |
託盤 |
IC DRAM 96GBIT PAR 441TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:96Gb|記憶體組織:1.5G x 64|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL SST25VF512A-33-4C-QAE |
Storage |
8-WSON |
管件 |
IC FLASH 512KBIT SPI 33MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 24FC64T-I/MF |
Storage |
8-DFN-S(6x5) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT25AM02C8CTR |
Storage |
8-WLCSP(3.12x2.04) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1061G30-10BV1XE |
Storage |
48-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 93AA46A-I/MS |
Storage |
8-MSOP |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EMD4E001G16G2-150CAS2R |
Storage |
96-BGA(10x13) |
卷帶(TR) |
IC RAM 1GBIT PAR 96BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT61M512M32KPA-14 N:C TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT FBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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