| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL IDT71P72604S200BQI |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.88 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL AT27C256R-90TI |
Storage |
28-TSOP |
託盤 |
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL CY14MB064Q2B-SXI |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL BR24G512-3A |
Storage |
8-DIP-T |
管件 |
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL S29GL064N90TFI020 |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL CY62256LL-55SNXI |
Storage |
28-SOIC |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL W631GG8NB-11 TR |
Storage |
78-VFBGA(8x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SSTL_15|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
|
 |
MSL 71V016SA15BFI8 |
Storage |
48-CABGA(7x7) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL S29GL128P10FFI023 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IS41LV16100B-50TL |
Storage |
44-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - EDO|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|