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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL S25FL129P0XBHV200 |
Storage |
24-BGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S29GL032N11DFIV20 |
Storage |
64-FBGA(9x9) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:110ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V3389S5BCI |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:64K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29PL032J60BFW120 |
Storage |
48-FBGA(8.15x6.15) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:60 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CG7480ATT |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT53D1G64D8SQ-053 WT:E TR |
Storage |
556-VFBGA(12.4x12.4) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT25DF041B-UUNHR-T |
Storage |
8-WLCSP(1.63x1.58) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8WLCSP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,2.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC) |
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MSL R1LV3216RSA-5SI#S0 |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M29DW128F70NF6E |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8,8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR |
Storage |
100-TBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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