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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL EM128LXQAB313CS1T |
Storage |
24-TBGA(6x8) |
散裝 |
IC RAM 128MBIT XSPI/QUAD 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MR5A16AMA35R |
Storage |
48-FBGA(10x10) |
卷帶(TR) |
IC RAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V35761S183BGG8 |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M93C86-MN6P |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT71V3577S80PF |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7007L15JG |
Storage |
68-PLCC(24.21x24.21) |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1320CV18-267BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 |
Storage |
- |
散裝 |
IC FLASH RAM 72GBIT |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:72Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR |
Storage |
216-FBGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:16Gb|記憶體組織:256M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL S25FL064P0XNFV001 |
Storage |
8-WSON(6x8) |
散裝 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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