Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL EM128LXQAB313CS1T MSL EM128LXQAB313CS1T Storage 24-TBGA(6x8) 散裝 IC RAM 128MBIT XSPI/QUAD 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MR5A16AMA35R MSL MR5A16AMA35R Storage 48-FBGA(10x10) 卷帶(TR) IC RAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V35761S183BGG8 MSL 71V35761S183BGG8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M93C86-MN6P MSL M93C86-MN6P Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V3577S80PF MSL IDT71V3577S80PF Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7007L15JG MSL 7007L15JG Storage 68-PLCC(24.21x24.21) 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1320CV18-267BZXC MSL CY7C1320CV18-267BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 MSL MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 Storage - 散裝 IC FLASH RAM 72GBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:72Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR MSL MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR Storage 216-FBGA(15x15) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:16Gb|記憶體組織:256M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL S25FL064P0XNFV001 MSL S25FL064P0XNFV001 Storage 8-WSON(6x8) 散裝 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields