Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CAT93C46BHU4I-GT3 MSL CAT93C46BHU4I-GT3 Storage 8-UDFN-EP(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F2GQ5UEBIGY MSL GD5F2GQ5UEBIGY Storage 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL NDS36PBA-16AT MSL NDS36PBA-16AT Storage 54-FBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 256MBIT LVTTL 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL W29N04KZBIBG TR MSL W29N04KZBIBG TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT ONFI 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns,700µs|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S70GL02GP11FAIR10 MSL S70GL02GP11FAIR10 Storage 64-FBGA(11x13) 託盤 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8,128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M3004316045NX0PBCR MSL M3004316045NX0PBCR Storage 484-CABGA(23x23) 卷帶(TR) IC RAM 4MBIT PAR 484CABGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL CY7C1444KV33-250AXC MSL CY7C1444KV33-250AXC Storage 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.6 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL BR93L86F-WE2 MSL BR93L86F-WE2 Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M3004316035NX0IBCR MSL M3004316035NX0IBCR Storage 484-CABGA(23x23) 卷帶(TR) IC RAM 4MBIT PARA 484CABGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL 93LC66C-I/SN MSL 93LC66C-I/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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