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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT24C64AW-10SI-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS46LQ32256A-062BLA2 |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
散裝 |
IC DRAM 8GBIT LVSTL 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL FM25L04B-GATR |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FRAM 4KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 71V65703S79PFGI |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY14B104N-ZS25XIT |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR24G02FVJ-3GTE2 |
Storage |
8-TSSOP-BJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S26KS512SDABHM030 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MX25L51273GZ4I-08G |
Storage |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8-WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:128M x 4,256M x 2,512M x 1|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,790µs|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V65603S133BGI |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS66WVQ4M4DALL-200BLI |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 16MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:4M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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