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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1370SV25-167BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
袋 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT24CM02-SSHM-B |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 2MBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 24AA025T-I/MC |
Storage |
8-DFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS46R16160F-6TLA1 |
Storage |
66-TSOP II |
管件 |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS46R16320D-6BLA2 |
Storage |
60-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL DS2506 |
Storage |
TO-92-3 |
散裝 |
IC EPROM 64KBIT 1-WIRE TO92-3 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:64Kb|記憶體組織:64K x 1|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C14201KV18-250BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61WV51216EDALL-20BLI |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PCF8582C-2T/03,118 |
Storage |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6.0V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25B512MFBIRY |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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