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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL DS1250AB-70 |
Storage |
32-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M48Z58Y-70MH1F |
Storage |
28-SOH |
卷帶(TR) |
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28SOH |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MX66L51235FZ2I-10G |
Storage |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ms,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IM8G16L4JCBG-046I |
Storage |
200-FBGA(10x15) |
託盤 |
LPDDR4X 8GB 512MX16 2133MHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.17V ~ 1.06V,1.95V ~ 1.7V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL AT28LV64B-25SC |
Storage |
28-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL IS42S32160F-6BLI |
Storage |
90-TFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25FL128LAGBHI020 |
Storage |
24-BGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93LC46B-E/P |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL S70FL01GSAGMFB013 |
Storage |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C1470BV25-167BZC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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