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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL EM6HF16EBXB-12SH |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 8GBIT 96BGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL IM8G16D3FFDG-107I |
Storage |
96-FBGA(9x13.5) |
託盤 |
DDR3 8GB, 1.35V/1.5V, 512MX16 (2 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY7C1354S-200AXC |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
袋 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY15E004Q-SXA |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FRAM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V3559S80BG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT53E512M64D2NZ-46 WT:B TR |
Storage |
376-WFBGA(14x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY14B256KA-SP25XIT |
Storage |
48-SSOP |
卷帶(TR) |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1650KV18-450BZC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
散裝 |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:144Mb|記憶體組織:4M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SST26WF080BAT-104I/MF |
Storage |
8-WDFN(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL064S70DHI010 |
Storage |
64-FBGA(9x9) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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