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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F4G16ABBEAH4-IT:E MSL MT29F4G16ABBEAH4-IT:E Storage 63-VFBGA(9x11) 散裝 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V3557SA79BQ MSL IDT71V3557SA79BQ Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS25WQ020-JVLE-TR MSL IS25WQ020-JVLE-TR Storage 8-VVSOP 卷帶(TR) IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8VVSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL M29F080D70N6E MSL M29F080D70N6E Storage 40-TSOP 託盤 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F512G08CKCABH7-6:A TR MSL MT29F512G08CKCABH7-6:A TR Storage 152-TBGA(14x18) 卷帶(TR) IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR MSL MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR Storage 132-TBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M45PE80-VMP6G MSL M45PE80-VMP6G Storage 8-VDFPN(6x5)(MLP8) 託盤 IC FLASH 8MBIT SPI 79MHZ 8VDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RM24C256C-LTAI-B MSL RM24C256C-LTAI-B Storage 8-TSSOP 管件 IC CBRAM 256KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:64 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BQ4011YMA-70N MSL BQ4011YMA-70N Storage 28-DIP 模块(18.42x37.72) 管件 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1245WP-100IND+ MSL DS1245WP-100IND+ Storage 34-PowerCap 模块 託盤 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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