Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 71V67603S150BQI8 MSL 71V67603S150BQI8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CG9172AF MSL CG9172AF Storage - 託盤 IC MEMORY 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS29GL128-70SLET-TR MSL IS29GL128-70SLET-TR Storage 56-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT CFI 56TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns,200µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CAT34RC02VP2GI-T3 MSL CAT34RC02VP2GI-T3 Storage 8-TDFN(2x3) 散裝 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25HS01GTDPMHB013 MSL S25HS01GTDPMHB013 Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S29GL128P11FFIV20 MSL S29GL128P11FFIV20 Storage 64-FBGA(13x11) 託盤 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:110ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS7C4098A-12TIN MSL AS7C4098A-12TIN Storage 44-TSOP2 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1338G-100AXCKJ MSL CY7C1338G-100AXCKJ Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 4MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT24C08D-MAHM-E MSL AT24C08D-MAHM-E Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:4.5 µs|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL01GT12DHM023 MSL S29GL01GT12DHM023 Storage 64-FBGA(9x9) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

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