Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 71V30L35TF MSL 71V30L35TF Storage 64-TQFP(10x10) 託盤 IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C1512V18-250BZI MSL CY7C1512V18-250BZI Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL R1LV5256ESA-5SR#S0 MSL R1LV5256ESA-5SR#S0 Storage 28-TSOP 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT25640B-MAPDGV-T MSL AT25640B-MAPDGV-T Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT SPI 5MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IDT71V3557SA79BQ8 MSL IDT71V3557SA79BQ8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS25WQ040-JBLE MSL IS25WQ040-JBLE Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL M29F200BB70M6E MSL M29F200BB70M6E Storage 44-SO 管件 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 44SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8,128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14B116N-Z30XIT MSL CY14B116N-Z30XIT Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41K64M16JT-15E:G TR MSL MT41K64M16JT-15E:G TR Storage 96-FBGA(8x14) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.5 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL 71V35761S183BGGI MSL 71V35761S183BGGI Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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