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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1392CV18-250BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S27KL0642DPBHI020 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 64MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:36ns|訪問時間:36 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 0436A4ACLAA-4F |
Storage |
119-BGA(22x14) |
散裝 |
IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49F002-12JC |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL CY7C1263KV18-400BZXI |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25V8035FM1I |
Storage |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:2M x 4,4M x 2,8M x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT24C01A-10SI-2.7-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61C64AL-10TLI-TR |
Storage |
28-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY62128DV30LL-70ZI |
Storage |
32-TSOP I |
袋 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DB641E-SHN2B-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:256 位元組 x 32K 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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