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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C21701KV18-400BZXC MSL CY7C21701KV18-400BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY14B116N-Z45XIT MSL CY14B116N-Z45XIT Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC NVSRAM 16MBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT42L128M32D1GU-18 WT:A TR MSL MT42L128M32D1GU-18 WT:A TR Storage 134-FBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL 71V35761S183BGGI8 MSL 71V35761S183BGGI8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H64M16HR-3 L:H TR MSL MT47H64M16HR-3 L:H TR Storage 84-FBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL EDW4032CABG-50-N-F-D MSL EDW4032CABG-50-N-F-D Storage - 託盤 IC RAM 4GBIT PARALLEL 1.25GHZ 記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.25 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT MSL MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Storage 130-VFBGA(8x9) 託盤 IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA 記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:1Gb(NAND),512Mb(LPDRAM)|記憶體組織:128M x 8(NAND),16M x 32(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V3579S85PFI8 MSL IDT71V3579S85PFI8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 MSL MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 Storage - 散裝 IC FLASH RAM 8GBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT45W1MW16BDGB-708 AT TR MSL MT45W1MW16BDGB-708 AT TR Storage 54-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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