Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MX35UF2GE4AD-Z4I MSL MX35UF2GE4AD-Z4I Storage 8-WSON(8x6) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:512M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST39LF802C-55-4C-EKE-T MSL SST39LF802C-55-4C-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C8M16S-7BCNTR MSL AS4C8M16S-7BCNTR Storage 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C32M16MD1-6BCNTR MSL AS4C32M16MD1-6BCNTR Storage 60-FBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TJ)
MSL AS6C1008-55TINL MSL AS6C1008-55TINL Storage 32-TSOP I 託盤 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66AP6NBQAHJ TR MSL W66AP6NBQAHJ TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL W66BQ6NBUAGJ TR MSL W66BQ6NBUAGJ TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL W63AH2NBVACI TR MSL W63AH2NBVACI TR Storage 178-VFBGA(11x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS42RM32400H-79BLI-TR MSL IS42RM32400H-79BLI-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M58WR032KB70ZQ6Z MSL M58WR032KB70ZQ6Z Storage 88-VFBGA(8x10) 託盤 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 88VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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