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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1321KV18-250BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY15B104QSN-108LPXIT |
Storage |
8-GQFN(3,23x3,28) |
卷帶(TR) |
IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD 8GQFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EM008LXQBB313ES2T |
Storage |
24-TBGA(6x8) |
託盤 |
IC RAM 8MBIT XSPI 24TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C1032-12JC |
Storage |
52-PLCC(19.13x19.13) |
散裝 |
IC SRAM 1.152MBIT PAR 52PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:1.152Mb|記憶體組織:64K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS25WP128-JLLE-TR |
Storage |
8-WSON(8x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 24AA512T-I/ST14 |
Storage |
14-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT I2C 14TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C026AV-25ACKJ |
Storage |
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散裝 |
CY7C026 - 3.3V 16K X 16 DUAL-POR |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S25HL512TDPBHB013 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL M30082040108X0PWAR |
Storage |
8-DFN(5x6) |
卷帶(TR) |
IC RAM 8MBIT SPI 108MHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:2M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C |
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MSL AS4C1G8D4-79BIN |
Storage |
78-FBGA(7.5x12) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT POD 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:POD|時鐘頻率:1.333 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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