Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL GD5F4GQ6UEY2GY MSL GD5F4GQ6UEY2GY Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:1G x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AT28C64-12SI MSL AT28C64-12SI Storage 28-SOIC 管件 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:1ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT24CS64-SSHM-T MSL AT24CS64-SSHM-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25V8035FZUI MSL MX25V8035FZUI Storage 8-USON(2x3) 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8USON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:2M x 4,4M x 2,8M x 1|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62128BNLL-55ZXI MSL CY62128BNLL-55ZXI Storage 32-TSOP I - IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93C86AT-I/OT MSL 93C86AT-I/OT Storage SOT-23-6 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE SOT23 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24CS256T-E/MS MSL 24CS256T-E/MS Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT I2C 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY62128VLL-70ZAIT MSL CY62128VLL-70ZAIT Storage 32-TSOP 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93AA56CT-I/MS MSL 93AA56CT-I/MS Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32160F-79EBLI-TR MSL IS42S32160F-79EBLI-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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