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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR |
Storage |
100-TBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR |
Storage |
132-VBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:768Gb|記憶體組織:96G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1515SV18-250BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
袋 |
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M29W320DT70N6E |
Storage |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V35761S183BGI8 |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.3 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70V631S10BC8 |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS49RL18320A-107EBL |
Storage |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 3|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT |
Storage |
137-VFBGA(13x10.5) |
散裝 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)|記憶體組織:256M x 16(NAND),64M x 32(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT71V3579YS85PF |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IDT71V416S15PH |
Storage |
44-TSOP II |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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