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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL NDL56PFJ-8KIT TR MSL NDL56PFJ-8KIT TR Storage 96-FBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL DS2433Y-Z01/T&R MSL DS2433Y-Z01/T&R Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66AQ6NBHAGJ MSL W66AQ6NBHAGJ Storage 100-VFBGA(10x7.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:1.867 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR MSL MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR Storage 63-VFBGA(9x11) 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AS7C1024B-20JCNTR MSL AS7C1024B-20JCNTR Storage 32-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S29GL064S90FHVV10 MSL S29GL064S90FHVV10 Storage 64-FBGA(13x11) 託盤 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 24LC01BT-I/SN MSL 24LC01BT-I/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1383BV25-100BGC MSL CY7C1383BV25-100BGC Storage 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 18MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS43DR16640B-3DBLI-TR MSL IS43DR16640B-3DBLI-TR Storage 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62146GN30-45BVXIT MSL CY62146GN30-45BVXIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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