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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL DS1265AB-70+ |
Storage |
36-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1413AV18-250BZC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W25Q32FVXGJQ |
Storage |
8-XSON(4x4) |
管件 |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8XSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S29GL032N90TFI013 |
Storage |
56-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FM23MLD16-60-BG |
Storage |
48-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:115ns|訪問時間:115 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S16100C1-7B |
Storage |
60-TFBGA(6.4x10.1) |
託盤 |
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL R1WV6416RBG-5SI#S0 |
Storage |
48-TFBGA(8.5x11) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SM662GXA-ACS |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL GS8160Z36DGT-333IV |
Storage |
100-TQFP(20x14) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V,2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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MSL IS62WV12816BLL-55BI |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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