Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT49F002NT-70PC MSL AT49F002NT-70PC Storage 32-PDIP 管件 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL DS28E05R+T MSL DS28E05R+T Storage SOT-23-3 卷帶(TR) IC EEPROM 896BIT 1-WIRE SOT23-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:896 比特|記憶體組織:112 x 8|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX77U25650FMI42 MSL MX77U25650FMI42 Storage - 管件 IC FLASH 256MBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:256Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS62WV1288FBLL-45HLI-TR MSL IS62WV1288FBLL-45HLI-TR Storage 32-sTSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29JL032J70TFI313 MSL S29JL032J70TFI313 Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M93C46-MN6TP MSL M93C46-MN6TP Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62167G30-55ZXE MSL CY62167G30-55ZXE Storage 48-TSOP I 託盤 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY7C1351S-100AXC MSL CY7C1351S-100AXC Storage 100-TQFP(14x14) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 93LC56XT-I/SN MSL 93LC56XT-I/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL EM6HE08EW3F-12H MSL EM6HE08EW3F-12H Storage 78-FBGA(9x10.6) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)

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