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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL TE28F128P30T85A |
Storage |
56-TSOP |
散裝 |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR |
Storage |
60-VFBGA(8x9) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX25L512EMI-10G |
Storage |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 512KBIT SPI 104MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL HM1-6508B-9 |
Storage |
16-CERDIP |
散裝 |
IC SRAM 1KBIT PARALLEL 16CERDIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Kb|記憶體組織:1K x 1|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:280ns|訪問時間:180 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S-24C16DI-K8T3U5 |
Storage |
8-TMSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8TMSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:500 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL THGBMUG6C1LBAIL |
Storage |
153-BGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 64GBIT EMMC 153FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 16MBIT SPI/QUAD 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:4M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT29BV010A-20JI |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ms|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 7143SA55J8 |
Storage |
68-PLCC(24.21x24.21) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:2K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IDT7164L35YGI |
Storage |
28-SOJ |
管件 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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