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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT51J256M32HF-50:A |
Storage |
170-FBGA(12x14) |
散裝 |
IC RAM 8GBIT PARALLEL 170FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.31V ~ 1.39V,1.46V ~ 1.55V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL S29GL256N10FAI012 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
散裝 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8,16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT62F1536M32D4DS-023 AAT:C TR |
Storage |
315-TFBGA(12.4x15) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 48GBIT LVSTL 315TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:48Gb|記憶體組織:1.5G x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL 70V3579S4DRG |
Storage |
208-PQFP(28x28) |
託盤 |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:1.125Mb|記憶體組織:32K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.45V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CAT24C64LI-G |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR |
Storage |
556-VFBGA(12.4x12.4) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.866 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IDT71V3556S166BQ |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL EN-20 32GB I-GRADE |
Storage |
- |
散裝 |
IC MEMORY |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR |
Storage |
100-TBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V9079L7PFG |
Storage |
100-TQFP |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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