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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1520KV18-333BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W25Q256FVBIF |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
管件 |
IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1543V18-379BZC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:379 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MTFC512GBCAXHL-WT |
Storage |
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託盤 |
IC FLASH 4TBIT UFS |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:4Tb|記憶體組織:512G x 8|記憶體介面:UFS|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 70T3589S166BC |
Storage |
256-CABGA(17x17) |
託盤 |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL M29F200BT70N6E |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8,128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F128G08CBCABH6-6M:A |
Storage |
152-VBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MTFC1TAYAXHE-WT |
Storage |
- |
託盤 |
IC FLASH 8TBIT UFS |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:8Tb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:UFS|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT47H256M8THN-25E:H TR |
Storage |
63-FBGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL RM25C256C-LTAI-B |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC CBRAM 256KBIT SPI 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:64 位元組頁大小|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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