| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL CY7C145AV-20JC |
Storage |
68-PLCC(24.23x24.23) |
管件 |
IC SRAM 72KBIT PARALLEL 68PLCC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:72Kb|記憶體組織:8K x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL HN58W241000FPI#S0 |
Storage |
- |
散裝 |
SERIAL 1M EEPROM (128K X 8-BIT) |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
|
 |
MSL MT48LC32M16A2TG-79 IT:C TR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL NM93C46LM8 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:250 kHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL S70GL02GT12FHIV23 |
Storage |
64-FBGA(11x13) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8,128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL AT93C46-10SU-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL AT25DF021-SSHF-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2MBIT SPI 50MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:7µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL 71T79802S100BG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
散裝 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|
 |
MSL AT25SF041B-SHB-B |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,800µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
|
 |
MSL IS43R86400D-5TL |
Storage |
66-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
|