Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL W25Q32RVSSJQ MSL W25Q32RVSSJQ Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 24LC64FT-I/SN MSL 24LC64FT-I/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V67703S80PFGI MSL 71V67703S80PFGI Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT62F512M64D2EK-023 AIT:E MSL MT62F512M64D2EK-023 AIT:E Storage 441-TFBGA(14x14) 散裝 IC DRAM 32GBIT 441TFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:32Gb|記憶體組織:512M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS43R16320D-5TLI MSL IS43R16320D-5TLI Storage 66-TSOP II 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1312KV18-250BZXCT MSL CY7C1312KV18-250BZXCT Storage 165-FBGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M95080-DRDW3TP/K MSL M95080-DRDW3TP/K Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL S76HL512TC0BHB003 MSL S76HL512TC0BHB003 Storage PG-BGA-24 卷帶(TR) IC FLSH RAM 512MBIT HYPRBS 24BGA 記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH,DRAM|存儲容量:512Mb(閃存),64Mb(RAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL IS42S32800J-79ETLI-TR MSL IS42S32800J-79ETLI-TR Storage 86-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL512SAGBHV210 MSL S25FL512SAGBHV210 Storage - 散裝 S25FL512S - 512-Mbit, 3.0V CMOS 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

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