Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL SST39VF1681-70-4C-EKE-T MSL SST39VF1681-70-4C-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS62WV12816BLL-45TLI MSL IS62WV12816BLL-45TLI Storage 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S32200L-7BL-TR MSL IS42S32200L-7BL-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT45DB321D-MWU-SL955 MSL AT45DB321D-MWU-SL955 Storage 8-VDFN(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8VDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:32Mb|記憶體組織:512 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL IS42RM16800H-6BLI-TR MSL IS42RM16800H-6BLI-TR Storage 54-TFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR MSL MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT29C040A-90TC MSL AT29C040A-90TC Storage 32-TSOP 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL AT27BV512-70TU MSL AT27BV512-70TU Storage 28-TSOP 託盤 IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT47H64M8JN-25E:G MSL MT47H64M8JN-25E:G Storage 60-FBGA(8x10) 散裝 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL MT47H32M16BN-5E IT:D TR MSL MT47H32M16BN-5E IT:D TR Storage 84-FBGA(10x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:600 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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