Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 25AA256-E/ST MSL 25AA256-E/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CY14B256L-SZ45XC MSL CY14B256L-SZ45XC Storage 32-SOIC 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT49BV040-90TI MSL AT49BV040-90TI Storage 32-TSOP 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY14B101L-SP45XI MSL CY14B101L-SP45XI Storage 48-SSOP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61WV102416FALL-20TLI-TR MSL IS61WV102416FALL-20TLI-TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR24S64FV-WE2 MSL BR24S64FV-WE2 Storage 8-SSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 8SSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93C56AT-I/OT MSL 93C56AT-I/OT Storage SOT-23-6 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT MIC WIRE SOT23-6 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GS84036CGT-250I MSL GS84036CGT-250I Storage 100-TQFP(20x14) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,標準|存儲容量:4Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)
MSL CY7C1413KV18-250BZXC MSL CY7C1413KV18-250BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 QDR SRAM, 2MX18, 0.45NS PBGA165 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C2265KV18-450BZC MSL CY7C2265KV18-450BZC Storage 165-FBGA(13x15) 散裝 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:450 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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