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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C4M32D1A-5BCN |
Storage |
144-LFBGA(12x12) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1399B-15ZXIT |
Storage |
28-TSOP I |
散裝 |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL R1LP0108ESN-5SI#S0 |
Storage |
32-SOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL TH58NVG3S0HTAI0 |
Storage |
48-TSOP I |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT27LV040A-12TC |
Storage |
32-TSOP |
託盤 |
IC EPROM 4MBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL GD25Q40ETJGR |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:140µs,4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S26KS256SDGBHN030 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT62F1G32D4DR-031 WT:B |
Storage |
- |
盒 |
IC DRAM 32GBIT PAR TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:3.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.05V|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL W35N01JWTBIG |
Storage |
24-TFBGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/OCT 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C199-12VC |
Storage |
28-SOJ |
管件 |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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