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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS62WV51216EBLL-45TLI-TR |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL DS1201N |
Storage |
- |
散裝 |
IC SRAM 1KBIT I2C 4MHZ 5SIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS25WP512M-RMLA3-TR |
Storage |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:112 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL R1EX24002ATAS0A#U0 |
Storage |
- |
散裝 |
EEPROM, 256X8, SERIAL |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR |
Storage |
168-WFBGA(12x12) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S72XS256RE0AHBH20 |
Storage |
133-FBGA(8x8) |
託盤 |
IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH,DRAM|存儲容量:256Mb(閃存),256Mb(DDR DRAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M95128-DRMF3TG/K |
Storage |
8-MLP(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT SPI 8MLP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL S25FL129P0XMFI010 |
Storage |
16-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IM4G16D3FDBG-107 |
Storage |
96-FBGA(7.5x13.5) |
託盤 |
DDR3 4GB, 1.35V/1.5V, 256MX16, 9 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL GD55LE511MEYIGR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC MEMORY |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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