Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT25640B-XPDGV-T MSL AT25640B-XPDGV-T Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL THGBMHG9C4LBAIR MSL THGBMHG9C4LBAIR Storage 153-WFBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 512GBIT EMMC 153WFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)
MSL FT24C02A-FPR-T MSL FT24C02A-FPR-T Storage SOT-23-5 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL MT44K16M36RB-093F:B TR MSL MT44K16M36RB-093F:B TR Storage 168-BGA(13.5x13.5) 卷帶(TR) IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT29F512G08CMCABH7-6:A TR MSL MT29F512G08CMCABH7-6:A TR Storage 152-TBGA(14x18) 卷帶(TR) IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M29W320DT70N6F TR MSL M29W320DT70N6F TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M45PE80-VMW6G MSL M45PE80-VMW6G Storage 8-SO W 管件 IC FLASH 8MBIT SPI 79MHZ 8SO W 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M93S56-WBN6P MSL M93S56-WBN6P Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL EDB1332BDBH-1DIT-F-D MSL EDB1332BDBH-1DIT-F-D Storage 134-VFBGA(10x11.5) 散裝 IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL DS28DG02G-3C+T MSL DS28DG02G-3C+T Storage 36-TQFN(6x6) 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 36TQFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.2V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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