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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL S29AL008J70BFI020 |
Storage |
48-FBGA(8.15x6.15) |
託盤 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR24G128FVJ-3AGTE2 |
Storage |
8-TSSOP-BJ |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M95640-DRMN8TP/K |
Storage |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT SPI 16MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL BR24G128FVM-3AGTTR |
Storage |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS63WV1024BLL-12TLI |
Storage |
32-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT25256AU2-10UI-1.8 |
Storage |
8-dBGA(2.35x3.73) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8DBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MR10Q010MB |
Storage |
24-BGA(6x8) |
託盤 |
IC RAM 1MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SM662GEF BFST |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 4TBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:4Tb|記憶體組織:512G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL IS61NLP12836EC-200TQLI-TR |
Storage |
100-LQFP(14x20) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GVT71256G18T-5 |
Storage |
- |
散裝 |
IC SRAM 4.5MBIT 133MHZ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:-|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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