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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A TR MSL MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A TR Storage 100-LBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M29W320DT70ZE6E MSL M29W320DT70ZE6E Storage 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M50FLW040AK5G MSL M50FLW040AK5G Storage 32-PLCC(11.35x13.89) 管件 IC FLASH 4MBIT PAR 33MHZ 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA)
MSL MT47H64M8CF-25E L:G TR MSL MT47H64M8CF-25E L:G TR Storage 60-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL EDB1332BDPC-1D-F-D MSL EDB1332BDPC-1D-F-D Storage 134-VFBGA(10x11.5) 散裝 IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL DS28DG02E-3C+T MSL DS28DG02E-3C+T Storage 28-TSSOP-EP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 28TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.2V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1319CV18-250BZC MSL CY7C1319CV18-250BZC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT40A512M8RH-079E AIT:B TR MSL MT40A512M8RH-079E AIT:B TR Storage 78-FBGA(9x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.33 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT47H128M8HQ-187E:E TR MSL MT47H128M8HQ-187E:E TR Storage 60-FBGA(8x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:350 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL IDT71V424L12YI MSL IDT71V424L12YI Storage 36-SOJ 管件 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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