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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1462AV33-200AXI |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CAT24C256XE-T2 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:500 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL W25Q128BVEJG TR |
Storage |
8-WSON(8x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AS6C1008-55STINTR |
Storage |
32-sTSOP |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EM63A165BM-5IH |
Storage |
54-FBGA(8x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W632GU6QB-12 TR |
Storage |
96-VFBGA(7.5x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43R83200F-5TL-TR |
Storage |
66-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S25FL127SABMFV103 |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS25LP256D-JMLE-TR |
Storage |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S29GL064S70FHI030 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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