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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS61WV102416EDBLL-10BLI MSL IS61WV102416EDBLL-10BLI Storage 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL128S11FHVV20 MSL S29GL128S11FHVV20 Storage 64-FBGA(13x11) 託盤 IC FLASH 128MBIT CFI 64FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS43LD32128B-25BLI MSL IS43LD32128B-25BLI Storage 134-TFBGA(10x11.5) 散裝 IC DRAM 4GBIT HSUL 134TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1345G-100AXI MSL CY7C1345G-100AXI Storage 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q128JVEIN TR MSL W25Q128JVEIN TR Storage 8-WSON(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62147CV33LL-70BVI MSL CY62147CV33LL-70BVI Storage 48-VFBGA(6x8) 散裝 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M24C16-DRDW8TP/K MSL M24C16-DRDW8TP/K Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S-25A040A0A-K8T2UD MSL S-25A040A0A-K8T2UD Storage 8-TMSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 8TMSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:6.5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS43DR86400E-25DBLI-TR MSL IS43DR86400E-25DBLI-TR Storage 60-TWBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MB85RS2MTAPF-G-BCERE1 MSL MB85RS2MTAPF-G-BCERE1 Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:400µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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