Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL GD25WQ128EBIRY MSL GD25WQ128EBIRY Storage 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24TBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:120µs,4ms|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL256LDPMFV003 MSL S25FL256LDPMFV003 Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E MSL MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E Storage 63-VFBGA(10.5x13) 託盤 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S71KL512SC0BHB003 MSL S71KL512SC0BHB003 Storage 24-FBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH RAM 512MBIT PAR 24FBGA 記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH,DRAM|存儲容量:512Mb(閃存),64Mb(RAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CY7C1565XV18-600BZXC MSL CY7C1565XV18-600BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:600 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S29CD016J0PQAM010 MSL S29CD016J0PQAM010 Storage 80-PQFP(14x20) 託盤 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:512K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:54 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.79V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL W66BP2NQUAFJ MSL W66BP2NQUAFJ Storage 200-TFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IS61NLP25636A-200B3LI MSL IS61NLP25636A-200B3LI Storage 165-TFBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1347B-133BGC MSL CY7C1347B-133BGC Storage 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V65603S150BGGI8 MSL 71V65603S150BGGI8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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