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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1625KV18-250BZXI |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:144Mb|記憶體組織:16M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M48Z02-150PC1 |
Storage |
24-PCDIP,CAPHAT® |
管件 |
IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IM5116SDBBBG-6I |
Storage |
54-FBGA(8x8) |
託盤 |
SDRAM, 512MB, 3.3V, 32MX16, 166M |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT55L256V32PT-6IT |
Storage |
100-TQFP(14x20.1) |
散裝 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - ZBT|存儲容量:8Mb|記憶體組織:256K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MX66L1G45GXDL-10G |
Storage |
24-CSPBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:- |
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MSL CY7C1514V18-167BZXC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CYDC128B08-55AXI |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,MoBL|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V,2.4V ~ 2.6V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C512M16D3LA-10BIN |
Storage |
96-FBGA(13.5x9) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.279V ~ 1.425V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL DS1225AB-85+ |
Storage |
28-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1049CV33-15ZC |
Storage |
44-TSOP II |
散裝 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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