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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C1270KV18-400BZXI |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT24C32AY1-10YI-2.7 |
Storage |
8-MAP(3x4.9) |
管件 |
IC EEPROM 32KBIT I2C 400KHZ 8MAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S80KS2563GABHB023 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT SPI/OCTL 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AS6C8016B-45ZIN |
Storage |
44-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT28C256-20JC |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL CY7C1568KV18-400BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS29GL128-70FLET |
Storage |
64-LFBGA(11x13) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT PAR 64LFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL SST25VF020B-80-4I-Q3AE |
Storage |
8-USON(3x2) |
管件 |
IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 11AA080-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 8KBIT SGL WIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BR24S16NUX-WTR |
Storage |
VSON008X2030 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8VSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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