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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C245A-25SC |
Storage |
- |
散裝 |
IC EPROM 16KBIT PARALLEL |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL BR24T256-W |
Storage |
8-DIP-T |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS4C256M16D3LC-10BANTR |
Storage |
96-FBGA(7.5x13.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT29F128G08CFAAAWP-Z:A |
Storage |
48-TSOP I |
管件 |
IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT41J512M8RH-093:E |
Storage |
78-FBGA(9x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL CY62136VNLL-55ZSXAT |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS49RL18640-093EBL |
Storage |
168-FBGA(13.5x13.5) |
散裝 |
IC DRAM 1.152GBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 3|存儲容量:1.152Gb|記憶體組織:64M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL GD25VE16CTIG |
Storage |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.1V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT51K256M32HF-60:A |
Storage |
170-FBGA(12x14) |
散裝 |
IC RAM 8GBIT PAR 170FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:SGRAM - GDDR5|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.5 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 24GBIT 1600MHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:24Gb|記憶體組織:768M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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