| From |
Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR |
Storage |
144-FBGA(18.5x11) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:32M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT48H16M32LFB5-79 IT:C TR |
Storage |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL EDB4064B4PB-1D-F-D |
Storage |
216-WFBGA(12x12) |
散裝 |
IC DRAM 4GBIT PAR 216WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:4Gb|記憶體組織:64M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT |
Storage |
168-WFBGA(12x12) |
散裝 |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)|記憶體組織:256M x 16(NAND),128M x 16(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1012AV33-8BGC |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 12MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:12Mb|記憶體組織:512K x 24|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:8ns|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E |
Storage |
- |
散裝 |
IC FLASH RAM 8GBIT |
記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT47H256M4HQ-187E:E TR |
Storage |
60-FBGA(8x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:256M x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:350 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IDT71V424L15PH |
Storage |
44-TSOP II |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V424S12YG8 |
Storage |
36-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48LC32M8A2P-7E:G |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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