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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL SST38VF6402B-70-5I-B3KE-T MSL SST38VF6402B-70-5I-B3KE-T Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F2GQ5UEY2GY MSL GD5F2GQ5UEY2GY Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:9 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL IS42S83200J-6TL MSL IS42S83200J-6TL Storage 54-TSOP II 管件 IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S-93C56CD0H-K8T2U3 MSL S-93C56CD0H-K8T2U3 Storage 8-TMSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TMSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 25AA02E64-I/SN MSL 25AA02E64-I/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V3556SA166BGI MSL 71V3556SA166BGI Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J MSL MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J Storage 149-WFBGA(8x9.5) IC FLASH RAM 4GBIT ONFI 149WFBGA 記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND(SLC),DRAM - LPDDR4|存儲容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDDR4)|記憶體組織:512M x 8(NAND),128M x 32(LPDDR4)|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT24C01C-SSHM-T MSL AT24C01C-SSHM-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY14V101QS-SE108XQ MSL CY14V101QS-SE108XQ Storage 16-SOIC 管件 IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CY62126DV30L-55BVI MSL CY62126DV30L-55BVI Storage 48-VFBGA(6x8) 散裝 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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