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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS46R16160F-6BLA2-TR MSL IS46R16160F-6BLA2-TR Storage 60-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AT25EU0161A-MAUN-T MSL AT25EU0161A-MAUN-T Storage - 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:16Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 25AA512-I/MF MSL 25AA512-I/MF Storage 8-DFN-S(6x5) 管件 IC EEPROM 512KBIT SPI 20MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1368C-166AXC MSL CY7C1368C-166AXC Storage 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:256K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS6C8008B-55ZINTR MSL AS6C8008B-55ZINTR Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 單端口,非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25HS02GTDZBHB050 MSL S25HS02GTDZBHB050 Storage 24-FBGA(8x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 24FC1026T-I/SN MSL 24FC1026T-I/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25080AY1-10YI-1.8 MSL AT25080AY1-10YI-1.8 Storage 8-MAP(3x4.9) 管件 IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8MAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V3559S80PFG8 MSL 71V3559S80PFG8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V3556SA150BGG8 MSL 71V3556SA150BGG8 Storage 119-PBGA(14x22) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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