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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C64M8SD-7TCNTR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT LVTTL 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1360C-166AJXC |
Storage |
100-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CAT28C256GI-12T |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M30042040108X0ISAR |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC RAM 4MBIT SPI 108MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:1M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR |
Storage |
86-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93C06/SN205 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256 比特|記憶體組織:16 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT40A512M16LY-079:E |
Storage |
96-FBGA(7.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.33 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL BR93L46FVT-WE2 |
Storage |
8-TSSOP-B |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FM93C56LM8 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:250 kHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 7028L20PFGI8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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