Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MD27C64-35 MSL MD27C64-35 Storage - 散裝 UVPROM, 8KX8, 350NS, CMOS 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY7C1019BN-15ZXC MSL CY7C1019BN-15ZXC Storage 32-TSOP II 管件 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W638GU6QB-12 TR MSL W638GU6QB-12 TR Storage 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL MT58L256L18F1T-8.5 MSL MT58L256L18F1T-8.5 Storage 100-TQFP(14x20.1) 散裝 IC SRAM 4MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - Standard|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT49F002NT-90JC MSL AT49F002NT-90JC Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL CY7C1415TV18-167BZC MSL CY7C1415TV18-167BZC Storage 165-FBGA(13x15) IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V416S10PHGI MSL 71V416S10PHGI Storage 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C4M16SA-5TCN MSL AS4C4M16SA-5TCN Storage 54-TSOP II 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MR0A16ACYS35R MSL MR0A16ACYS35R Storage 44-TSOP2 卷帶(TR) IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C0430BV-100BGIT MSL CY7C0430BV-100BGIT Storage 272-PBGA(27x27) 散裝 IC SRAM 1.152MBIT PAR 272PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步|存儲容量:1.152Mb|記憶體組織:64K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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